Samsung начинает производство 3-нм чипов первого поколения

Samsung Foundry объявила о начале массового производства чипов первого поколения на 3-нанометровом техпроцессе. Он основан на новой архитектуре транзисторов GAA (Gate-All-Around), которая является следующим шагом после FinFET.

Samsung начинает производство 3-нм чипов первого поколения
Samsung Foundry объявила о начале массового производства чипов первого поколения на 3-нанометровом техпроцессе. Он основан на новой архитектуре транзисторов GAA (Gate-All-Around), которая является следующим шагом после FinFET.